Olesea Volciuc este doctorandă în ultimul an de studii la Universitatea Tehnică a Moldovei. Ştie ce vrea şi este consecventă în realizarea scopurilor propuse. Recent a participat la concurs, finanţat de NATO, şi mare i-a fost bucuria cînd a aflat că a câştigat un grant de reintegrare  “NATO SCIENCE FOR PEACE AND SECURITY PROGRAMME” (NATO ştiinţa pentru pace şi program de securitate) pe trei ani în valoare de 25000 de euro. Ce şi-ar mai putea dori un tînăr sau o tînără în cercetare! Tema proiectului a fost întitulată “Elaborarea senzorilor de gaze stabili la radiaţie”. Uită-te, ce preocupări poate avea o domnişoară modernă.

Nitrura de galiu (GaN), ne-a explicat dînsa, este unul din semiconductorii cunoscuţi stabili la radiaţie, însă această calitate a lui poate fi avansată, aplicînd nanostructurarea fotoelectrochimică Acest lucru a fost recent demonstrat de cercetările grupului de savanţi de la Centrul Naţional de Studiu şi Testare a Materialelor din cadrul Universităţii Tehnice a Moldovei, condus de membrul corespondent Ion Tighneanu, vicepreşedinte al A.Ş.M. Rezultatul acestor cercetări au fost publicate în 2007 într-o revistă internaţională de prestigiu “APPLIED PHYSICS LETTERS”. Interesul pentru GaN este mare  -  material semiconductor promiţător pentru elaborarea dispozitivelor electronice de putere şi frecvenţă înaltă cu rezistenţă la radiaţie ionizantă.

Pînă în prezent răspunsul privind structura materialului la radiaţie cu ioni grei rapizi a fost puţin explorată. În acest sens grupul de savanţi de la Universitatea Tehnica a Moldovei a comparat defectele induse de ioni grei cu energie înaltă în GaN şi GaN nanostructurat. Rezultatele obţinute au demonstrat că rezistenţa la radiaţie a GaN nanostructurat poate fi majorată substanţial prin tratarea electrochimică a materialului. Rezultatul obţinut se datorează unei tehnologii noi - litografia sarcinii de suprafaţă, elaborate de grupul tinerilor cercetători de la Centrul Naţional nominalizat. 

Stabilitatea chimică, funcţionarea la temperaturi înalte şi stabilitatea la radiaţie a GaN sînt proprietăţi atractive pentru elaborări de senzori electronici, de care este preocupată doctoranda Olesea Volciuc, ce ar putea funcţiona în condiţii extremale. Tema le-a părut interesantă şi de perspectiva celor de la NATO, care şi vor finanţa realizarea proiectului pe parcurs de trei ani. Pe aşa cale acest material ar putea fi utilizat la elaborarea diferitelor dispozitive ca detectori de radiaţie, dispozitive cu microunde cu aplicaţii în cosmos, dispozitive la staţii nucleare şi acceleratoare de particule.
 

În imagine: doctoranda Olesea Volciuc în laboratorul Centrului Naţional de Studiu şi Testare a Materialelor al UTM.
         
Tatiana Rotaru